江博先進科技股份有限公司

PolyDiode的組成結構與電氣特性

PolyDiode 為江博先進科技股份有限公司在2005年，領先全球首創開發完成,兼俱有 ESD、EMC 防禦功效之多晶質半導體陶瓷二極體( Polycrystalline Semiconducting Ceramic Diode )。
江博先進科技公司已在全世界主要國家取得” PolyDiode “之商標專利權，並已成功銷售至歐、美、日等世界各地。

＊結構與功能特徵

PolyDiode的主要生成結構，係融合Silicon TVS diode、Multilayer Varistor (MLV)等關鍵材料，併同添加本公司獨有之無機高分子，經微粒化奈米創新工序，燒結而成之高緻密性陶瓷實體。
雖然Poly Diode的外觀形狀、IV特性曲線、等值電路頗多類似MLV之處，惟PolyDiode本體內部微晶界面數以萬計之P-N Junctions相互接觸的部分，皆為矽薄膜所保護，故對空氣和熱都非常穩定，且表面耦合電流也會減少。以其固有之Surge Current Capability、Extra low Clamping Voltage、ESD durability、Fast response time等傑出電氣特性(參閱比較表一)，對於抑制系統電路內，湧入之瞬間突波於一預求的安全波動位準，並使感應電流轉移接地；令電路敏感元件(如ICs等)免受ESD攻擊的效果，明顯超越MLV與TVS Diode。
此外， PolyDiode的障壁區域(Depletion region)含有鋇、鈦等具低通濾波器(Low pass filter)功能之無機元素，可以控制多餘電磁波(Electromagnetic Waves)和帶磁率(Electromagnetie Susceptibility)，有效截止雜音脈衝(Clipped noise pulses)，並減少基頻以外之諧波頻率干擾，使通過系統設備之特定交流訊號，進一步獲致調諧。

＊PolyDiode的信賴性與穩定性
為確保PolyDiode的精密特性，避免：
陶瓷胚體在燒結過程，因吸收空氣中水分所分解的氫，造成脆化現象；或利用電解在燒結體端部金屬電極表面電鍍合金包膜的操作期間，陰性原子侵入陶瓷燒結體裏面，引起氫脆性(Hydrogen Brittlenes)，以及防止端部金屬電極相互橋接(Bridging)發生短路現象。
江博先進科技股份有限公司創新研發一種，係可依隨溫度上升生成共熔體,再以連續相向PolyDiode層間粒界均勻擴散、吸附和反應，並環燒結體表面生成氣密薄膜，而能與周圍環境溼氣和化學條件相隔離之無機高分子(Inorganic High Molecular Compound)，藉以充分保護PolyDiode電的穩定度，令極限內驟然湧入之瞬態突波，即使變動劇烈，依然可以繼續維持於一預求的恆定位準者。